第246章 如果有这一半的速度，再加上这质量…（2/2）

英钟罩式和带有微波窗的金属腔体式，还是按微波与等离子体的耦合方式来分的表面波耦合式、直接耦合式和天线耦合式。

它们的沉积速率，都是和微波功率有关的。

举个例子，用5kw微波功率的mpcvd法，可以以10μm/h的速率沉积工具级金刚石薄膜，以8μm/h的速率沉积热沉级金刚石薄膜，以3μm/h 的速率沉积光学级金刚石薄膜。

而用10kw微波功率的时候，他的沉积速率可以达到25μm/h。

也就是说，通过增大微波功率，可以提高金刚石薄膜的沉积速率。

除此之外，金刚石薄膜的沉积速率还和气体压力有关。

在高微波功率，高的甲烷与氢气体积流量比，160torr气体压力下，可以制备出150μm/h的多晶金刚石薄膜。

如果在同等条件下，将压力提高至310torr下，可以制备出165μm/h的单晶金刚石薄膜。

“气体压力……”

“微波功率……”

陈舟在稿纸上写下这两个词汇。

拿笔点了两下，随手便划了两个圈。

这是重点。

放下笔，陈舟滑动鼠标，继续看文献的内容。

mpcvd法之所以会成为最广泛的方法，是因为这种方法比dapcvd法制备的金刚石薄膜质量更好。

很好的解决了膜的致密度不高的问题同时，还可以产生大体积的金刚石薄膜。

此外，这种方法还能在曲面或者复杂表面上进行金刚石薄膜的沉积。

而且mpcvd法无内部电极，可以避免电极放电污染和电极腐蚀。

可以说是满足了制备高质量金刚石薄膜的条件。

但是，就像四十三所实验室的装置一样，mpcvd法的沉积速率是硬伤。

看完了这篇详细介绍mpcvd法的文献后，陈舟不禁想到。

“如果有dapcvd法一半的速度，再加上mpcvd法的制备质量，那这事不就成了吗？”